Die dielektrische Funktion (DF) von hexagonalem AlN auf Si(111) wird im Bereich zwischen 1 und 9,8 eV durch spektroskopische Ellipsometrie (SE) bestimmt. Aufgrund seiner großen negativen Kristallfeldaufspaltung weist Wurtzit AlN einen großen Dichroismus auf. Um zu zeigen, dass SE gegenüber beiden Komponenten des DF um die Absorptionskante empfindlich ist, wird ein einachsiges Modell angewendet, das Übergangsenergien für den freien excitonischen Zustand liefert. Die Zugspannung in der Ebene führt zu einer Rotverschiebung dieser Übergänge und zu einer vergrößerten Aufspaltung. Die experimentellen Daten werden mit den Ergebnissen von Bandstrukturberechnungen verglichen und zeigen eine hervorragende Gesamtübereinstimmung. Darüber hinaus wurden zwei hochenergetische kritische Punkte im gewöhnlichen DF bei Energien von etwa 7,75 und 8,85 eV bestimmt.
Rossbach, G., Röppischer, M., Schley, P., Gobsch, G., Werner, C., Cobet, C., Esser, N., Dadgar, A., Wieneke, M., Krost, A., & Goldhahn, R. (2010). Valence-band splitting and optical anisotropy of ALN. Physica Status Solidi (b), 247(7), 1679–1682. https://doi.org/10.1002/pssb.200983677
